本发明涉及一种基于叠层钝化结构的HEMT器件及其制备方法，包括：S101、选取外延基片；外延基片由下往上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；S102、在GaN缓冲层上制作源电极和漏电极；S103、在源电极、漏电极和GaN帽层上依次生长氧化铝插入层、氧化铝层和氮化硅层形成叠层结构的钝化层；S104、在钝化层和GaN帽层上生长栅介质层；S105、制备栅电极和金属互联层以完成HEMT器件的制备。本发明提供的HEMT器件及其制备方法在生长钝化层时先生长一层较薄的Al2O3插入层后用NH3/N2等离子处理，解决了现有HEMT器件钝化效果不理想的问题；可以降低界面态密度，两层之间的界面接触较好，提高钝化效果，从而抑制电流崩塌。
