本发明公开了一种基于P‑GaN帽层和叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法，二极管包括衬底，依次位于衬底上的AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、SiN钝化层；阴极，沉积有第一欧姆金属，贯穿SiN钝化层且位于AlGaN势垒层上；阳极包括第一结构(肖特基凹槽结构)和第二结构(混合阳极结构)，第一结构包括P‑GaN帽层上方和凹槽内均沉积的若干阳极金属，第二结构包括若干第二欧姆金属，以及P‑GaN帽层和若干第二欧姆金属上方均沉积的若干阳极金属，第一结构和第二结构交替分布呈叉指结构。本发明器件阳极采用混合阳极加肖特基凹槽的交叉排列结构，有效避免电子由阳极从缓冲层转移至阴极，提高了器件的反向击穿性能。
