本发明涉及一种基于自终止转移的大功率器件及其制备方法，该方法包括：制备第一结构，所述第一结构包括依次层叠的衬底层、GaN缓冲层、AlGaN自停止层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；将所述第一结构的AlGaN势垒层键合在载片上形成第二结构；去除所述第二结构的衬底层形成第三结构；去除所述第三结构的GaN缓冲层形成第四结构；去除所述第四结构的AlGaN自停止层形成异质结；在所述异质结的GaN沟道层形成源电极、漏电极和栅电极。本发明实施例提供的制备方法，引入AlGaN自停止层，由于刻蚀气体SF6:BCl3的配比无法刻蚀所述AlGaN自停止层，因此在刻蚀GaN沟道过程中实现自终止，且采用慢速率刻蚀可以精确的控制刻蚀深度以及粗糙度。
