本发明公开了一种回收芯片检测方法，回收芯片检测方法包括：将检测电路、载体电路置于同一环境中；确定载体电路的拟关键路径集；通过检测电路对载体电路进行动态仿真得到第一仿真结果；通过检测电路对载体电路进行老化仿真、并进行动态仿真得到第二仿真结果；根据第一仿真结果、第二仿真结果判断载体电路是否为回收芯片；响应于载体电路为回收芯片，则测量拟关键路径集的延时余量，根据延时余量确定载体电路的老化情况。本发明通过查找拟关键路径集，在检测出电路为回收芯片时，仅测量拟关键路径集的延时余量来了解电路的老化情况，保证了拟关键路径集的准确性和全面性，从而提高了回收芯片检测的准确性。
