本发明公开了一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管，包括：N+衬底区；漂移层，位于N+衬底区上，漂移层的表面至少包括两个沟槽及相邻两个沟槽之间的一个凸起结构；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽底部P型区位于沟槽底部下方，沟槽侧壁P型区位于凸起结构下方；金属层，包括：第一部分金属层和第二部分金属层，所述第一部分金属层与一部分所述漂移层形成肖特基接触，所述第二部分金属层与所述P型区形成欧姆接触；第一部分阳极，位于肖特基接触、欧姆接触的表面。本发明采用沟槽底部P型区与沟槽侧壁P型区的半沟槽离子注入的混合结构，使导通电阻减小，从而提高器件的性能及可靠性。
