本发明公开了一种基于叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法，二极管包括：衬底，依次位于衬底上的AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、SiN钝化层、介质层；第一凹槽，贯穿介质层、SiN钝化层、AlGaN势垒层；第二凹槽中第一部分贯穿介质层、SiN钝化层、部分AlGaN势垒层，第二部分贯穿另一部分AlGaN势垒层、AlN插入层和部分GaN缓冲层；阴极沉积有第一欧姆金属；阳极包括若干第二欧姆金属，以及第一凹槽和第二凹槽沉积的若干阳极金属，若干第二欧姆金属与第二凹槽内若干阳极金属交替分布呈叉指结构。本发明阳极采用欧姆加肖特基叉指结构，由于阳极的肖特基接触和欧姆接触处于同一列，反向偏压时将引入较多的肖特基耗尽区，从而提高了器件的反向击穿电压。
