政策资讯

一种GaAs pHEMT 2/3双模分频电路

专利类型:
申请号/专利号:
CN201911012173.4
申请人(专利权人):
吕红亮
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
50000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开了一种GaAs pHEMT 2/3双模分频电路,包括:分频器核心电路(1),连接所述逻辑门电路(2),用于接收高频差分信号,并对所述高频差分信号分频后输出电平信号;逻辑门电路(2),连接所述分频器核心电路(1),用于对所述电平信号进行逻辑运算后输出双模分频信号;其中,所述分频器核心电路(1)和所述逻辑门电路(2)均包含电平转换电路。本发明提供的GaAs pHEMT 2/3双模分频电路通过使用GaAs pHEMT工艺,同时采用源极耦合结构(SCL),使得电路能够满足更高的频率需求,同时可以使电路实现更高的工作速度、更低的功耗和更低的噪声。

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