本发明涉及一种基于跨导补偿法的类Fin侧墙调制的HEMT器件及其制备方法，该HEMT器件包括：衬底层；插入层，位于衬底层上；缓冲层，位于插入层上；源电极，位于缓冲层的一端；漏电极，位于缓冲层的另一端；势垒层，位于缓冲层上，且位于源电极和漏电极之间，其中，势垒层上设置有沿栅宽方向排列的若干凹槽，凹槽的深度小于势垒层的厚度；钝化层，覆盖在源电极、漏电极和势垒层上，其中，沿栅宽方向上，钝化层中贯穿有栅槽，且若干凹槽位于栅槽下；栅电极，位于若干凹槽和栅槽中，且位于钝化层表面；金属互联层，贯穿钝化层且位于源电极、漏电极上。该HEMT器件通过沿栅宽方向排列若干凹槽形成类Fin结构，可以满足高频高线性和高压高线性的应用需求。
