本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法，外延层自下而上包括牺牲层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层、钝化层和保护层，牺牲层制备在衬底层上方；外延层转移方法包括：根据光刻版图对所述外延层的无源区域进行曝光显影；在氟基刻蚀条件下刻蚀已曝光显影的无源区域下方的保护层和钝化层；在氯基刻蚀条件下刻蚀所述已曝光显影的无源区域下方的帽层、势垒层、插入层、缓冲层和成核层；以及采用化学腐蚀液蚀刻所述衬底层上方的牺牲层。所述外延层转移方法能够在保持器件结构完整性的同时减小器件的纵向尺寸，提高器件的散热性能，也可以实现器件在柔性器件领域的应用。
