本发明涉及一种MIS‑HEMT器件的热电子效应测试结构，包括：底层(15)、势垒层(4)、绝缘层(5)、源极(7)、栅极(8)、漏极(9)、第一掺杂区(11)、第二掺杂区(12)、电极A(13)和电极B(14)。本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的热电子效应测试结构及其表征方法，通过调整偏置电压来控制势垒层中热电子的注入数量，并通过调整偏置电压来控制势垒层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入势垒层等问题，有助于对MIS‑HEMT器件的热电子效应进行深入分析。
