一种MOS器件的制作方法及器件

专利类型：

申请号/专利号:

CN201810433594.3

申请人（专利权人）:

祝杰杰

行业类别:

技术成熟度:

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证书状态:

授权

交易价格：

50000元

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委托经理人

本发明提供一种MOS器件的制作方法及器件。所述方法包括：制备半导体材料层；在所述半导体材料层上的电极区域制作下电极；在所述半导体材料层上的非电极区域制作阻挡介质层；对所述阻挡层进行氧化处理，使得氧化气氛扩散到所述半导体材料层；在所述阻挡层上生长介质层；在所述介质层上制备上电极。本发明可以减少介质层与半导体之间的界面电荷，改善MOS器件的界面特性和可靠性，提高器件工作稳定性和使用寿命。

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