本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3器件的外延层转移方法，其特征在于，外延层自下而上包括牺牲层、缓冲层、沟道层、势垒层和保护层，所述牺牲层制备在衬底层上方；所述外延层转移方法包括：根据光刻版图对所述外延层的无源区域进行选区曝光显影；在氟基刻蚀条件下刻蚀已曝光显影的无源区域下方的保护层；在氯基刻蚀条件下刻蚀所述已曝光显影的无源区域下方的势垒层、沟道层和缓冲层；以及采用化学腐蚀液蚀刻所述衬底层上方的牺牲层。该外延层转移方法能够减小器件的纵向尺寸，提高器件的散热性能。
