本发明公开了一种抗单粒子效应的FinFET器件及制备方法，该制备方法包括：制备掺杂离子的衬底层；在衬底层上制备停止层和若干与鳍部的预设横截面的形状和大小相同的侧墙；刻蚀停止层和衬底层以在剩余的衬底层上形成若干鳍部；对鳍部与衬底层的连接拐角处进行局部氧化；在停止层与衬底层上制备覆盖停止层与衬底层的氧化物层；对氧化物层进行平坦化处理，以暴露停止层的上表面；刻蚀部分高度的氧化物层，以保留位于衬底层上预设高度的所述氧化物层；去除位于鳍部上的停止层；在鳍部上沉积栅氧化物层；在栅氧化物层上沉积栅极。本发明制备的FinFET器件使得FinFET的单粒子效应的电流通道更长，降低寄生晶体管增益，从而有效的避免了FinFET的单粒子效应。
