具有P型变掺杂基区的碳化硅基DSRD器件及其制备方法

专利类型：

申请号/专利号:

CN202010713459.1

申请人（专利权人）:

汤晓燕

行业类别:

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证书状态:

授权

交易价格：

50000元

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本发明公开了一种具有P型变掺杂基区的碳化硅基DSRD器件及其制备方法，所述器件包括衬底、N+缓冲区、P‑基区、P+缓冲区、P+区、SiO2钝化层、阴极和阳极，其中，衬底、N+缓冲区、P‑基区、P+缓冲区和P+区自下而上依次设置；SiO2钝化层覆盖在P‑基区、P+缓冲区和P+区的外周，且SiO2钝化层的上端覆盖P‑基区上表面的一部分，SiO2钝化层的下端覆盖N+缓冲区上表面未被P‑基区覆盖的区域；阴极设置在衬底的下表面；阳极设置在P+区的上表面未被SiO2钝化层覆盖的区域，且阳极与SiO2钝化层接触。该器件能够缩短碳化硅基DSRD的脉冲前沿，降低器件功耗，降低工艺复杂度，提升器件可靠性。