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具有P型变掺杂基区的碳化硅基DSRD器件及其制备方法

专利类型:
申请号/专利号:
CN202010713459.1
申请人(专利权人):
汤晓燕
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
50000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开了一种具有P型变掺杂基区的碳化硅基DSRD器件及其制备方法,所述器件包括衬底、N+缓冲区、P‑基区、P+缓冲区、P+区、SiO2钝化层、阴极和阳极,其中,衬底、N+缓冲区、P‑基区、P+缓冲区和P+区自下而上依次设置;SiO2钝化层覆盖在P‑基区、P+缓冲区和P+区的外周,且SiO2钝化层的上端覆盖P‑基区上表面的一部分,SiO2钝化层的下端覆盖N+缓冲区上表面未被P‑基区覆盖的区域;阴极设置在衬底的下表面;阳极设置在P+区的上表面未被SiO2钝化层覆盖的区域,且阳极与SiO2钝化层接触。该器件能够缩短碳化硅基DSRD的脉冲前沿,降低器件功耗,降低工艺复杂度,提升器件可靠性。

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