本发明涉及一种基于多量子阱的GaN横向LED器件的制备方法。该制备方法包括：选取蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上制备包括GaN的多量子阱蓝光材料；刻蚀所述蓝光材料形成黄光灯芯槽；在所述黄光灯芯槽中制备包括GaN的多量子阱黄光材料；制备第一电极、第二电极和第三电极，以完成所述基于多量子阱的横向LED器件的制备；其中，所述第一电极为整个器件的负电极，所述第二电极为所述蓝光材料的正电极，所述第三电极为所述黄光材料的正电极。本发明通过将多种色彩的材料制备在同一LED器件中，产生多种颜色的光，可以解决现有技术中LED封装器件涂覆荧光粉导致LED器件发光效率低、集成度低的缺陷。
