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本发明涉及一种基于氮化镓的宽摆幅双向限幅电路的制备方法，包括制作PIN二极管、肖特基二极管以及GaN基器件，并将PIN二极管和肖特基二极管并联后通过金属互联工艺与GaN基器件连接，从而完成基于氮化镓的宽摆幅双向限幅电路的制备。本发明实施例，通过采用将PIN二极管和肖特基二极管并联再与GaN基器件的栅极连接的电路，可以实现电路的自我保护，同时满足器件能够承受正反向大功率信号的冲击，实现器件的双向保护。

一种基于氮化镓的宽摆幅双向限幅电路及其制备方法

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