本发明公开了一种具有超高散热性能的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；在SiC衬底的正面外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在SiC衬底的背面溅射Ni金属形成背面电极；通过光刻法在Au膜上形成第一转移电极图形；刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过光刻法在Au膜上形成第二转移电极图形；刻蚀掉未被第二转移电极图形覆盖的Au膜；在Au膜上淀积Au材料形成正面电极，并进行退火处理。本发明方法为一种切实可行的制备方案，与传统的欧姆接触结构相比，高温电学性能更好，更加稳定，且比接触电阻率可以达到10‑7～10‑8量级。
