本发明公开了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；对SiC衬底的背面进行预设深度的N离子注入；在SiC衬底的正面形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在SiC衬底的背面形成背面电极；通过光刻，在Au膜上形成第一转移电极图形；刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过光刻，在SiC衬底上形成第二转移电极图形；在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料；剥离第二转移电极图形形成正面电极。本发明方法为一种切实可行的制备方案，且改善了接触电阻扩散和电迁移问题，提升了功率器件的稳定性和寿命，新结构的提出给欧姆接触技术的研究带来了启发。
