本发明涉及一种阳极金属晶向一致的低开启电压GaN二极管及制备方法，本发明的GaN二极管包括：自下而上依次设置的衬底层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上设置有阴极；AlGaN沟道层和AlGaN势垒层内设置有凹槽，凹槽的底部、侧壁以及部分AlGaN势垒层上设置有阳极；AlGaN势垒层上未被覆盖的区域设置有介质层；其中，阳极与凹槽以及AlGaN势垒层的接触部分为晶向为<100>的W或Ni金属。本发明的GaN二极管，采用晶向为<100>的W或Ni金属作为阳极金属，相比于混合晶向的阳极金属具有更好的功函数匹配，从而形成了势垒更小的肖特基接触，使得二极管具有更小的开启电压。
