本发明公开了一种具有插指型金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法；该GaN HEMT包括自下而上的衬底、中间层和介质层；中间层包括自上而下的势垒层以及缓冲层；源、漏、栅电极分别穿过介质层与势垒层相接触；中间层上沿栅宽方向刻蚀有插指型凹槽，凹槽正上方的介质层形成第一插指结构；第一插指结构在水平方向上位于栅、漏电极之间并与栅电极相邻；栅电极和漏电极之间的介质层上表面生长有金刚石散热层；金刚石散热层的下表面形成有第二插指结构；第二插指结构与第一插指结构无缝对接；栅电极的上端向漏电极的方向延伸，以覆盖金刚石散热层的部分上表面。本发明可以提高GaN HEMT在微波大功率场景下的散热能力。
