本发明公开了一种低射频损耗的硅基氮化镓射频功率器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取电阻率为10Ω.cm‑20000Ω.cm的Si衬底，并根据所述Si衬底的不同电阻率在所述Si衬底的正面生长不同厚度的单晶α‑Al2O3隔离层；在所述单晶α‑Al2O3隔离层上生长AlGaN/GaN异质结外延结构；在所述AlGaN/GaN异质结外延结构上形成源、漏欧姆接触、台面隔离及钝化层，形成栅极以及互连金属，完成器件正面工艺；在对器件正面进行保护的条件下对所述Si衬底的背面进行超深度刻蚀，以暴露栅极与漏极的竖直方向之间区域的所述单晶α‑Al2O3隔离层。本发明通过单晶α‑Al2O3隔离层及硅衬底背面刻蚀工艺来减小硅衬底引入的插入损耗，改善高频漏电情况，能够有效地改善功率附加效率及漏极效率。
