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一种基于全MOS基准源的新型低压差线性稳压器

专利类型:
申请号/专利号:
CN202111016641.2
申请人(专利权人):
柴常春
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
50000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开了一种基于全MOS基准源的新型低压差线性稳压器,包括基准模块、放大模块、功率模块、保护模块、瞬态响应模块及反馈模块,其中,基准模块包括参考电压产生电路,参考电压产生电路包括N型耗尽管NDEP1、NDEP2,N型增强管N3,电阻R1、R2以及电容C1;NDEP1管的漏极接电源电压端VDD,其栅极与源极共同连接NDEP2管的漏极;NDEP2管的栅极与源极相连并共同连接N3管的栅极,且通过电阻R1连接N3管的漏极;N3管的源极与衬底均接地,N3管的漏极作为采样端VT连接保护模块;NDEP2管的栅极与源极的公共端还与电阻R2、电容C1串接,电容C1的另一端接地;电阻R2和电容C1的公共端作为参考电压端VREF连接放大模块。本发明提供的稳压器减小了芯片面积,提升了电路性能。

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