本发明公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法,其中,所述增强型氮化镓高电子迁移率晶体管包括:晶圆,设置在所述晶圆上的源电极和漏电极,设置在所述晶圆上且位于所述源电极和所述漏电极之间的栅电极;其中,所述晶圆包括氮化镓外延结构;所述晶圆内设有一非晶材料区域,所述非晶材料区域位于所述栅电极下面。本发明提供的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管通过对栅电极下面的部分势垒层进行离子注入,破坏晶格结构,形成非晶材料,从而对栅电极下面的二维电子气形成耗尽,以实现增强型晶体管的设计,其结构简单,工艺过程易于控制,成本较低,且器件可靠性高。