本发明涉及一种钳位电压可选的SiC‑TVS器件及其制备方法，器件包括：碳化硅衬底层；若干半导体层，所述若干半导体层包括若干第一半导体层和若干第二半导体层，所述若干第一半导体层和所述若干第二半导体层依次层叠且交替的位于所述第二部分衬底层之上；正电极，位于最顶层的所述第二半导体层之上；若干负电极，位于重掺杂的所述第二半导体层的侧壁的部分区域。本发明提供的一种钳位电压可选的SiC‑TVS器件，利用了SiC的材料特性优势。基于NPN结构构造了多层PN交叠的器件结构，使得钳位电压随着接入P区的数量增加而增大。
