本发明涉及一种二维电子气浓度的调控方法，包括步骤：S1、采用原子力显微镜对二维电子气材料表面的第一区域施加第一正电压，使所述第一区域正对的二维电子气电荷耗尽；S2、采用所述原子力显微镜对所述二维电子气材料表面的第二区域施加第二正电压，使所述第二区域正对的二维电子气电荷耗尽，其中，所述第一区域与所述第二区域并列。该调控方法通过原子力显微镜对二维电子气材料施加正电压或者负电压，实现了对二维电子气材料的电荷耗尽或者电荷注入，从而实现了二维电子气浓度的变化，且发生变化的二维电子气浓度可恢复、可编程，达到了对材料界面处的晶体结构或者电子浓度进行操控的目的，有利于快速制备得到小尺寸器件。
