本发明涉及一种低欧姆接触电阻的GaN基高电子迁移率晶体管及制备方法,其中,该晶体管包括:自下而上依次层叠的衬底层、Ga极性GaN层和势垒层;源区,位于Ga极性GaN层和势垒层内部;漏区,位于Ga极性GaN层和势垒层内部,且与源区间隔设置;源极,设置在源区的上表面;漏极,设置在漏区的上表面;栅极,设置在势垒层的上表面,且位于源极和漏极之间;其中,势垒层的材料为n型AlxGa1‑xN,其中,0≤x≤1,源区和漏区均包括自下而上依次层叠的氮化的蓝宝石层和N极性GaN层。本发明的晶体管,采用了Ga极性GaN材料来实现AlxGa1‑xN/GaN异质结,保证高的电子迁移率,在N极性GaN材料上制作了源漏区欧姆接触电极,实现良好的欧姆接触,有效地降低了欧姆接触电阻。