本发明涉及一种低欧姆接触电阻的GaN基高电子迁移率晶体管及制备方法，其中，该晶体管包括：自下而上依次层叠的衬底层、Ga极性GaN层和势垒层；源区，位于Ga极性GaN层和势垒层内部；漏区，位于Ga极性GaN层和势垒层内部，且与源区间隔设置；源极，设置在源区的上表面；漏极，设置在漏区的上表面；栅极，设置在势垒层的上表面，且位于源极和漏极之间；其中，势垒层的材料为n型AlxGa1‑xN，其中，0≤x≤1，源区和漏区均包括自下而上依次层叠的氮化的蓝宝石层和N极性GaN层。本发明的晶体管，采用了Ga极性GaN材料来实现AlxGa1‑xN/GaN异质结，保证高的电子迁移率，在N极性GaN材料上制作了源漏区欧姆接触电极，实现良好的欧姆接触，有效地降低了欧姆接触电阻。
