政策资讯

一种共用深N阱的SPAD器件及其构成的光探测阵列

专利类型:
申请号/专利号:
CN202011181289.3
申请人(专利权人):
刘马良
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
50000元
我要咨询

摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开了一种共用深N阱的SPAD器件及其构成的光探测阵列,通过改变器件内部阴极N+以及阳极P+的位置,得阴极N+区域变小,阳极P+区域变大,使得有效的光探测区的面积占比更高,提高SPAD器件以及光探测阵列的填充因数。

我要咨询

商标号:
联系人:
联系电话:
商标名称:
报价:
需求描述:
提交
服务
客服
电话:18504815395
邮箱:965848622@qq.com
地址:呼和浩特市赛罕区昭乌达路70号内蒙古科技大厦906
微信
招聘
返回顶部