一种共用深N阱的SPAD器件及其构成的光探测阵列

专利类型：

申请号/专利号:

CN202011181289.3

申请人（专利权人）:

刘马良

行业类别:

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授权

交易价格：

50000元

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本发明公开了一种共用深N阱的SPAD器件及其构成的光探测阵列，通过改变器件内部阴极N+以及阳极P+的位置，得阴极N+区域变小，阳极P+区域变大，使得有效的光探测区的面积占比更高，提高SPAD器件以及光探测阵列的填充因数。

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