本发明涉及一种基于22nm工艺的SONOS结构抗辐照FDSOI场效应管及其制备方法，方法包括：制作SONOS结构、制作背栅、制作浅槽隔离、制作背板掺杂、制作高K栅氧和多晶硅栅、制作第一层Si3N4侧墙、制作轻掺杂源漏、制作源漏凸起、制作源漏区、表面清洗，器件完成。本发明在普通BOX层中加入Si3N4层，使BOX层分为上下两层，引入的势垒增加了电子和空穴的复合，减少了辐照作用下BOX层中陷阱俘获正电荷的数量，同时Si3N4层中产生陷阱负电荷，抵消BOX层中一部分陷阱正电荷的作用，使得BOX层界面附近的沟道深处不易反型，提高了器件抗辐照性能。
