本发明公开了一种低关断损耗的电子注入效应增强IGBT器件，包括：自下而上依次生长形成的集电极、P+集电极区、N+缓冲区，位于N+缓冲区中的P+埋层；N‑漂移区，位于N+缓冲区之上；N‑漂移区中有沿着第一方向依次交替设置的第一掺杂立柱以及第二掺杂立柱组成的超结结构；表面结构，位于N‑漂移区之上，表面结构包括：两个沟槽栅极；P基区以及P‑基区，P基区位于沟槽栅极的外侧，P‑基区位于沟槽栅极的内侧；第一N+发射极以及第一P+发射极，位于P基区中，且第一N+发射极靠近沟槽栅极；第二N+发射极以及第二P+发射极，位于P‑基区中，且第二N+发射极靠近沟槽栅极；第二N+发射极对称设置于第二P+发射极的两侧；连接第二P+发射极的顶部发射极。
