本发明涉及一种适用于平面工艺的InAs‑GaSb TFET，包括衬底；源区，设置在所述衬底上；第一漏区，设置在所述衬底上，且位于所述源区中；沟道层，设置在所述源区上；第二漏区，设置在所述第一漏区上；栅介质层，设置在所述沟道层和所述第二漏区上；栅极，设置在所述栅介质层上；源极，设置在所述源区上；漏极，设置在所述第二漏区上。本发明的InAs‑GaSb TFET，设置有第一漏区和第二漏区，第一漏区位于源区中，通过先外延、后注入的优化工艺引入了重掺杂漏区pn结，利用反偏pn结的电学阻隔特点在电学上实现源区与漏区间的有效电学隔断，而且制备工艺简单，与传统平面CMOS工艺高度兼容。
