本发明涉及一种基于欧姆再生长的GaN基射频功率器件及其制备方法，该方法包括：S1：在衬底上生长GaN基异质结；S2：采用干法刻蚀工艺对GaN基异质结的欧姆区域进行刻蚀，形成欧姆再生长区域以进行欧姆再生长；S3：在器件表面外延生长n+GaN层；S4：采用干法刻蚀工艺对n+GaN层进行自终止刻蚀，去除欧姆再生长区域之间的n+GaN层；S5：利用离子注入设备，在器件的两侧形成隔离区；S6：在n+GaN层上淀积金属，形成源极和漏极；S7：在器件表面形成钝化层；S8：采用干法刻蚀工艺对栅极区域的钝化层进行刻蚀，形成栅极凹槽，在栅极凹槽淀积金属形成栅极。本发明的制备方法，简化了欧姆再生长的制备工艺，同时延续了常规欧姆再生长技术的优势。
