本发明公开了一种沟槽栅双层超结VDMOSFET半导体器件及其制备方法，方法包括：依次生长n+型衬底、第一n‑外延层、第一pn超结漂移区、第二n‑外延层；在第二n‑外延层内形成p型基区；刻蚀形成第一沟槽；在第一沟槽的表面生长栅极氧化膜；在第一沟槽开口处的p型基区表面形成n+源区；刻蚀形成第二沟槽；利用第二沟槽形成第二pn超结漂移区；对第二pn超结漂移区进行离子注入形成p+注入区；在第一沟槽形成栅极；在n+源区和p+注入区表面形成源极，在n+型衬底下表面形成漏极。本发明有效缓解了击穿电压、导通电阻和损耗之间的矛盾，获得高击穿电压，并降低导通电阻，从而提升了器件性能，且可以缩小器件尺寸，便于大批量生产。
