政策资讯

一种单光子雪崩二极管的高压偏置电路

专利类型:
申请号/专利号:
CN202111675370.1
申请人(专利权人):
王夏宇
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
50000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开了一种单光子雪崩二极管的高压偏置电路,包括:动态高压产生单元、SPAD器件及前端电路单元、光脉冲计数单元、计数速率比较判别单元。动态高压产生单元用于给SPAD器件及前端电路单元的SPAD器件提供高于其反向击穿电压的动态偏置电压HV,使SPAD器件及前端电路单元中的SPAD器件工作在盖革模式,具有单光子灵敏度,并且通过反馈输入端Cont接收计数速率比较判别单元反馈输出的,光脉冲计数单元的计数速率R与计数速率阈值的比较结果,动态高压产生单元根据比较结果调节动态偏置电压HV的大小后输出,以改变SPAD器件的光子探测效率,使光脉冲计数速率R始终处于一个合适的范围内。本发明提高了激光雷达接收机系统对于背景光的容忍度,提高了器件的动态范围。

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