本发明公开了一种基于二硫化钼/锗异质结的PIN型光电探测器及其制备方法，该探测器包括依次设置的Si衬底、SiO2氧化层和P‑Ge层，其中，SiO2氧化层上表面还设置有P+Ge层，P+Ge层设置在P‑Ge层的侧面；P‑Ge层上表面中间部分覆盖有本征Ge层，P+Ge层上表面均设置有阳极，本征Ge层上表面覆盖有MoS2薄膜层；MoS2薄膜层上表面设置有阴极，P+Ge层与阳极形成欧姆接触，MoS2薄膜层与阴极形成欧姆接触，MoS2薄膜层与本征Ge层形成异质结结构。通过控制PIN结构中本征Ge层的厚度可极大提高器件的频率响应和频率响应速度，能够实现器件的宽光谱、高灵敏和高响应速度。
