本发明涉及一种多结的近红外单光子雪崩二极管及制备方法，该二极管包括第一P+区、第一N阱、高压P阱、P型外延层、N+区、第二N阱、高压N阱、第一N埋层、第二N埋层、第一沟槽隔离区、第二沟槽隔离区、第二P+区、P型衬底、阳极、阴极和接地电极。该二极管包含三个PN结：第一P+区和第一N阱之间形成PN结以用作雪崩区，第一N埋层和高压P阱之间形成PN结以用作雪崩区和漂移区，P型外延层和第二N埋层之间形成PN结以用作漂移区；两个雪崩区用于倍增光生载流子，两个漂移区用于输运其内的光生载流子至雪崩区；雪崩区和漂移区的互动作用，使二极管在可见光和近红外波段的探测效率都有明显提升。
