本发明公开了一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法，该器件包括：衬底层；GaN外延层，形成于衬底层上；源电极，形成于GaN外延层上；漏电极，形成于GaN外延层上；第一钝化层，形成于GaN外延层上；第二钝化层，形成于第一钝化层上，以和第一钝化层构成复合钝化层；第三钝化层，形成于源电极、漏电极与复合钝化层之间；T型栅电极，形成于GaN外延层上，贯穿于复合钝化层，且T型栅电极的横向部分位于第二钝化层上。本发明的方案，以T型栅电极为硬质掩膜，通过横向分区钝化，即可提高栅下钝化效果，亦可降低非栅区寄生电容，显著提高器件频率特性，降低高频下的电流崩塌；同时，通过栅金属作为硬质掩膜的分区钝化方式，工艺简单。
