本发明涉及一种通过渐变栅实现多阈值调制技术的HEMT器件及制备方法，该HEMT器件包括衬底层(1)；插入层(2)，位于所述衬底层(1)上；缓冲层(3)，位于所述插入层(2)上；源电极(4)，位于所述缓冲层(3)的一端；漏电极(5)，位于所述缓冲层(3)的另一端；势垒层(6)，位于所述缓冲层(3)上，且位于所述源电极(4)和所述漏电极(5)之间；钝化层(7)，覆盖在所述源电极(4)、所述漏电极(5)和所述势垒层(6)上；栅电极(8)，位于所述势垒层(6)的表面和所述钝化层(7)的表面，其中，所述栅电极(8)的栅脚(81)贯穿所述钝化层(7)，且所述栅脚(81)采用沿栅宽方向栅长渐变的渐变栅结构。该HEMT器件的线性度得到了改善，实现了高线性HEMT器件，满足了高频、高线性的应用需求。
