本发明涉及一种通过渐变栅实现多阈值调制技术的HEMT器件及制备方法,该HEMT器件包括衬底层(1);插入层(2),位于所述衬底层(1)上;缓冲层(3),位于所述插入层(2)上;源电极(4),位于所述缓冲层(3)的一端;漏电极(5),位于所述缓冲层(3)的另一端;势垒层(6),位于所述缓冲层(3)上,且位于所述源电极(4)和所述漏电极(5)之间;钝化层(7),覆盖在所述源电极(4)、所述漏电极(5)和所述势垒层(6)上;栅电极(8),位于所述势垒层(6)的表面和所述钝化层(7)的表面,其中,所述栅电极(8)的栅脚(81)贯穿所述钝化层(7),且所述栅脚(81)采用沿栅宽方向栅长渐变的渐变栅结构。该HEMT器件的线性度得到了改善,实现了高线性HEMT器件,满足了高频、高线性的应用需求。