政策资讯

二氟甲氧桥键低粘度巨电热效应的单体液晶及其制备方法

专利类型:
发明
申请号/专利号:
CN201810074018.4
申请人(专利权人):
苗宗成
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
20000
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技术摘要

权利要求书

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交易流程

委托经理人

一种二氟甲氧桥键低粘度巨电热效应的单体液晶及其制备方法,单体液晶结构为:液晶具有巨电热效应,以二氟甲氧桥键代替炔键不仅可以有效降低单体液晶的粘度而且可以保持较高的介电各向异性,同时可在分子结构中进入环己基或酯基基团进一步降低液晶单体的粘度;若二氟甲氧桥键低粘度巨电热效应的单体液晶实现商品化,则可在很大程度上替代目前存在的蒸汽压缩制冷,节约能源,保护环境。

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