政策资讯

一种降低多壁碳纳米管结构缺陷的中子辐照处理方法

专利类型:
发明
申请号/专利号:
CN202011487962.6
申请人(专利权人):
王娟
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
20000
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明公开了一种降低多壁碳纳米管结构缺陷的中子辐照处理方法,该方法包含:采用能量为14MeV的快中子射线,中子通量为1×108,中子辐照多壁碳纳米管,以降低多壁碳纳米管的结构缺陷。本发明的处理方法利用低能量的快中子射线改善多壁碳纳米管的结构缺陷,通过D‑T中子管发射出的14MeV,通量为1×108的快中子射线,辐照多壁碳纳米管60~120min,可减少多壁碳纳米管的结构缺陷,提高多壁碳纳米管的石墨化程度和结构质量。

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